RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3409
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link