RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
45
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3402
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link