RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
45
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2834
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link