RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2924
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link