RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2690
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link