RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
45
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2698
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link