RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
45
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2468
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link