RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2908
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link