RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
54
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
54
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2938
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link