RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
34
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
3.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
34
Prędkość odczytu, GB/s
6.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
3.6
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
921
3697
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link