RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
48
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2528
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link