RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
48
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
31
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3545
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link