RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2430
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link