RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
48
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
47
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2362
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link