RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
48
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3393
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link