Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 48
    Wokół strony -85% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    14 left arrow 8.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 5.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 10600
    Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    48 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    8.9 left arrow 14.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    5.9 left arrow 8.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1420 left arrow 2163
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania