RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
47
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2699
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link