RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2773
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1GS 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link