RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
47
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2733
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link