RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
47
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
43
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2501
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link