RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
4022
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link