RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
41
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
2124
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link