RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
4065
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link