RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
40
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2924
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link