RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2892
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link