RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
77
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
1517
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston KF556C40-16 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link