RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
30
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2340
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link