RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
34
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2826
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link