RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2574
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link