RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3536
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link