RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3651
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link