RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
30
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
21
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3380
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link