RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3039
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link