RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2400
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link