RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2695
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link