RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
34
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3145
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link