RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2889
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link