RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
38
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
18
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
3971
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link