RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
46
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
2388
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link