RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1393
3091
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link