RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
73
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
73
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
1744
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link