RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3085
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link