RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
4167
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link