RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
46
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2046
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link