RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2812
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link