RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3244
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link