RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3036
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link