Porównanie pamięci RAM SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Wynik ogólny

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

74 77

Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.7 1,884.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 6400

Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

564 1616

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns