RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
101
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
101
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1313
2283
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link