RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
37
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
3363
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Mushkin 996902 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link